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J-GLOBAL ID:202202254439029984   整理番号:22A0492406

神経形態計算のための良好な保持を持つ電解質ゲートトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Electrolyte-gated transistors with good retention for neuromorphic computing
著者 (8件):
Li Yue
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
Xu Han
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
Lu Jikai
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
Wu Zuheng
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
Wu Shuyu
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
Zhang Xumeng
(Frontier Institute of Chip and System, Fudan University, Shanghai 200433, China)
Liu Qi
(Frontier Institute of Chip and System, Fudan University, Shanghai 200433, China)
Shang Dashan
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 120  号:ページ: 021901-021901-5  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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