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文献
J-GLOBAL ID：202202254699841864
整理番号：22A1156880
AP-MOVPEによるGaN層成長のための(001)および(11n)_n=1,3GaAs基板配向:GaNバッファ層の厚さの影響【JST・京大機械翻訳】
(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness
Laifi J.
(Physics Department, College of Science, Jouf University, Sakaka, Saudi Arabia)
,
Bchetnia A.
(Department of Physics, College of Science, Qassim University, Buraydah, Qassim, Saudi Arabia)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33 号： 10 ページ： 7587-7597 発行年： 2022年
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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