文献
J-GLOBAL ID:202202256527514021
整理番号:22A1156173
ナトリウムイオン電池(SIB)のためのパラホウ素ドープAGNRへのNa吸着:第一原理解析【JST・京大機械翻訳】
Na Adsorption on Para Boron-Doped AGNR for Sodium-Ion Batteries (SIBs): A First Principles Analysis
著者 (2件):
Kumar Madhu Raj
(Microelectronics and VLSI lab, National Institute of Technology, Patna, India)
,
Singh Sangeeta
(Microelectronics and VLSI lab, National Institute of Technology, Patna, India)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
51
号:
5
ページ:
2095-2106
発行年:
2022年
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)