文献
J-GLOBAL ID:202202256706574850
整理番号:22A0553309
ポリSiチャネルベース3D NANDフラッシュメモリにおけるZ干渉の調査とモデリング【JST・京大機械翻訳】
Investigation and Modeling of Z-Interference in Poly-Si Channel-Based 3-D NAND Flash Memories
著者 (3件):
Jo Hyungjun
(Inter-University Semiconductor Research Center, School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul, South Korea)
,
Ahn Sangmin
(Inter-University Semiconductor Research Center, School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul, South Korea)
,
Shin Hyungcheol
(Inter-University Semiconductor Research Center, School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
69
号:
2
ページ:
543-548
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)