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文献
J-GLOBAL ID：202202257393279852
整理番号：22A0791319
自己集合単分子層の遠隔ドーピングによるエネルギーバンド工学は高性能IGZO/p-Siヘテロ構造光検出器を導く【JST・京大機械翻訳】
Energy-Band Engineering by Remote Doping of Self-Assembled Monolayers Leads to High-Performance IGZO/p-Si Heterostructure Photodetectors
Woo Gunhoo
(SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Korea)
,
Lee Dong Hyun
(Department of Electronic Engineering, Gachon University, 1342 Seongnam-daero, Seongnam, 13120, Korea)
,
Heo Yeri
(Department of Electronic Engineering, Gachon University, 1342 Seongnam-daero, Seongnam, 13120, Korea)
,
Kim Eungchul
(School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Korea)
,
On Sungmin
(XFEL Accelerator Department, Pohang Accelerator Laboratory, Pohang, 37673, Korea)
,
Kim Taesung
(SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Korea)
,
Kim Taesung
(School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Korea)
,
Yoo Hocheon
(Department of Electronic Engineering, Gachon University, 1342 Seongnam-daero, Seongnam, 13120, Korea)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 34 号： 6 ページ： e2107364 発行年： 2022年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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