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文献
J-GLOBAL ID：202202258053160246
整理番号：22A0388994
MFIS負性容量FDSOI FETにおける負性微分抵抗を緩和するBOX工学:アナログ展望【JST・京大機械翻訳】
BOX engineering to mitigate negative differential resistance in MFIS negative capacitance FDSOI FET: an analog perspective
Chauhan Nitanshu
(Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
,
Chauhan Nitanshu
(Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Uttarakhand, Srinagar Pauri Garhwal, India)
,
Bagga Navjeet
(PDPM IIITDM Jabalpur, India)
,
Banchhor Shashank
(Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
,
Garg Chirag
(Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
,
Sharma Arvind
(University of Minnesota, United States of America)
,
Datta Arnab
(Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
,
Dasgupta S
(Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
,
Bulusu Anand
(Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 33 号： 8 ページ： 085203 (8pp) 発行年： 2022年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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