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文献
J-GLOBAL ID：202202258304819443
整理番号：22A0433236
非晶質SZTOトランジスタにおける時間依存正バイアス応力下のヒステリシス電圧と安定性に及ぼす酸素空孔の変化の影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of change of oxygen vacancy on hysteresis voltage and stability under time-temperature dependence positive bias stress in amorphous SZTO transistors
Murugan Balaji
(Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea)
,
Murugan Balaji
(Gachon Advanced Institute of Semiconductor Technology, Gachon University, Seongnam-Si, Gyeonggi-Do 13120, Republic of Korea)
,
Lee Sang Yeol
(Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea)
,
Lee Sang Yeol
(Gachon Advanced Institute of Semiconductor Technology, Gachon University, Seongnam-Si, Gyeonggi-Do 13120, Republic of Korea)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 253 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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