文献
J-GLOBAL ID:202202258606244037
整理番号:22A0427737
薄膜メムリスティブ応用のための水素化非晶質半導体における温度依存キャリア輸送【JST・京大機械翻訳】
Temperature Dependent Carrier Transport in Hydrogenated Amorphous Semiconductors for Thin Film Memristive Applications
著者 (2件):
Chakraverty Mayank
(VIT University, School of Electronics Engineering (SENSE) Vellore India)
,
Ramakrishnan V.N.
(VIT University, School of Electronics Engineering (SENSE) Vellore India)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
1048
ページ:
182-188
発行年:
2022年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)