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文献
J-GLOBAL ID：202202258865579491
整理番号：22A0799224
非対称トンネルFETのサブ閾値特性の解析的モデリングとTCADシミュレーション【JST・京大機械翻訳】
Analytical modeling and TCAD simulation for subthreshold characteristics of asymmetric Tunnel FET
Talukdar Jagritee
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India)
,
Rawat Gopal
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Hamirpur, Himachal Pradesh, India)
,
Mummaneni Kavicharan
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 142 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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