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文献
J-GLOBAL ID：202202259662886685
整理番号：22A0492431
優先結晶方位を有する高性能SnSe_2熱電薄膜の作製【JST・京大機械翻訳】
Fabrication of high-performance SnSe2 thermoelectric thin films with preferred crystallographic orientation
Heo Seung Hwae
(Department of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan 44919, South Korea)
,
Baek Seongheon
(Department of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan 44919, South Korea)
,
Shin Tae Joo
(Graduate School of Semiconductor Materials and Devices Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan 44919, South Korea)
,
Son Jae Sung
(Department of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan 44919, South Korea)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 120 号： 2 ページ： 023901-023901-7 発行年： 2022年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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