文献
J-GLOBAL ID:202202259699362636
整理番号:22A0553304
ドープGaN平面Gunnダイオードの作製のためのエピ層設計の最適化【JST・京大機械翻訳】
Optimization of the Epilayer Design for the Fabrication of Doped GaN Planar Gunn Diodes
著者 (5件):
Garcia-Sanchez S.
(Departamento de Physics and Mathematics, University of Alcala ́ de Henares, Madrid, Spain)
,
Iniguez-de-la-Torre I.
(Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain)
,
Perez S.
(Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain)
,
Gonzalez T.
(Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain)
,
Mateos J.
(Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
69
号:
2
ページ:
514-520
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)