文献
J-GLOBAL ID:202202261654138334
整理番号:22A1173132
緩衝層応用のためのスプレー堆積Mg_0.02Zn_0.98Se薄膜の構造,光学的および電気的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】
Structural, optical, and electrical characterization of spray-deposited Mg0.02Zn0.98Se thin film for buffer layer application
著者 (2件):
Krishna V. S. Ganesha
(Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, India)
,
Mahesha M. G.
(Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, India)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
33
号:
11
ページ:
8529-8533
発行年:
2022年
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)