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文献
J-GLOBAL ID：202202261677592158
整理番号：22A0465256
電気Bias下のハイブリッド磁気トンネル接合における室温トンネル磁気抵抗の増強【JST・京大機械翻訳】
Boosting Room Temperature Tunnel Magnetoresistance in Hybrid Magnetic Tunnel Junctions Under Electric Bias
Gonzalez-Ruano Cesar
(Departamento Fisica de la Materia Condensada C-III, INC and IFIMAC, Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, 28049, Spain)
,
Tiusan Coriolan
(Department of Physics and Chemistry Center of Superconductivity Spintronics and Surface Science C4S, Technical University of Cluj-Napoca, Cluj-Napoca, 400114, Romania)
,
Tiusan Coriolan
(Department of Solid State Physics and Advanced Technology, Faculty of Physics, Babes-Bolyai University, Cluj-Napoca, 400114, Romania)
,
Tiusan Coriolan
(Institut Jean Lamour, Nancy Universite, Vandoeuvre-les-Nancy Cedex, 54506, France)
,
Hehn Michel
(Institut Jean Lamour, Nancy Universite, Vandoeuvre-les-Nancy Cedex, 54506, France)
,
Aliev Farkhad G.
(Departamento Fisica de la Materia Condensada C-III, INC and IFIMAC, Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, 28049, Spain)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 8 号： 1 ページ： e2100805 発行年： 2022年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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