文献
J-GLOBAL ID:202202262306247436
整理番号:22A1113386
神経形態操作のための2端子有機-無機ハロゲン化物ペロブスカイト書き換え可能メモリスタの挙動に及ぼす温度変化の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of temperature variations on the behavior of a two-terminal organic-inorganic halide perovskite rewritable memristor for neuromorphic operations
著者 (4件):
Nenashev Grigorii V.
(Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya, St Petersburg, 194021, Russian Federation)
,
Aleshin Andrey N.
(Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya, St Petersburg, 194021, Russian Federation)
,
Shcherbakov Igor P.
(Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya, St Petersburg, 194021, Russian Federation)
,
Petrov Vasily N.
(Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya, St Petersburg, 194021, Russian Federation)
資料名:
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻:
348-349
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)