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文献
J-GLOBAL ID：202202263200501056
整理番号：22A0430489
MOSFETにおけるポリシリコン欠陥局在化を迅速にするためのElectronビーム誘起電流(EBIC)イメージング技術【JST・京大機械翻訳】
Electron-beam-induced current (EBIC) imaging technique to quicken polysilicon defect localization in MOSFETs
Zheng Shijun
(Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
,
Chen Ran
(Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
,
Yang Jianli
(Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
,
Wang Yanfen
(Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
,
Che Yi
(Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
,
Du Mei
(Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
,
Tian Li
(Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
,
Zhai Lin
(Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
,
Li Jinglong
(Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 128 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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