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文献
J-GLOBAL ID：202202264244162410
整理番号：22A0388712
MFISゲートスタックを有する強誘電体FinFETシナプスの保持特性のコンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】
Compact model of retention characteristics of ferroelectric FinFET synapse with MFIS gate stack
Baig Md Aftab
(Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Le Hoang-Hiep
(Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
De Sourav
(Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Chang Che-Wei
(Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Hsieh Chia-Chi
(Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Huang Xiao-Shan
(Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Lee Yao-Jen
(Taiwan Semiconductor Research Institute, Hsinchu, Taiwan, ROC)
,
Lu Darsen D
(Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 37 号： 2 ページ： 024001 (7pp) 発行年： 2022年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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