文献
J-GLOBAL ID:202202264250243464
整理番号:22A1151584
物理的蒸気輸送により成長させた[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]に対する[0001]から傾斜したSiC結晶の転位密度の数値解析【JST・京大機械翻訳】
Numerical Analysis of Dislocation Density of SiC Crystals Tilted from [0001] Toward [Formula : see text] and [Formula : see text] Grown by Physical Vapor Transport
著者 (2件):
Kakimoto Koichi
(Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka, 816-8580, Japan)
,
Nakano Satoshi
(Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka, 816-8580, Japan)
資料名:
Crystal Research and Technology
(Crystal Research and Technology)
巻:
57
号:
4
ページ:
e2100219
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0738A
ISSN:
0232-1300
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)