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文献
J-GLOBAL ID:202202264250243464   整理番号:22A1151584

物理的蒸気輸送により成長させた[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]に対する[0001]から傾斜したSiC結晶の転位密度の数値解析【JST・京大機械翻訳】

Numerical Analysis of Dislocation Density of SiC Crystals Tilted from [0001] Toward [Formula : see text] and [Formula : see text] Grown by Physical Vapor Transport
著者 (2件):
Kakimoto Koichi
(Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka, 816-8580, Japan)
Nakano Satoshi
(Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka, 816-8580, Japan)

資料名:
Crystal Research and Technology  (Crystal Research and Technology)

巻: 57  号:ページ: e2100219  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0738A  ISSN: 0232-1300  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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