前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：202202264309546436
整理番号：22A1163713
トップゲート自己整合二重層非晶質InGaZnO TFTにおける移動度増強と異常ハンプ【JST・京大機械翻訳】
Mobility Enhancement and Abnormal Humps in Top-Gate Self-Aligned Double-Layer Amorphous InGaZnO TFTs
Lee Ming-Xuan
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Chiu Jih-Chao
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Li Song-Ling
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Sarkar Eknath
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Chen Yu-Ciao
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Yen Chia-Chun
(Technology Integration Department I, Innolux Corporation, Tainan, Taiwan)
,
Chen Tsang-Long
(Technology Integration Department I, Innolux Corporation, Tainan, Taiwan)
,
Chou Cheng-Hsu
(Technology Development Division Group II, Innolux Corporation, Tainan, Taiwan)
,
Liu C. W.
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 10 ページ： 301-308 発行年： 2022年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。