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文献
J-GLOBAL ID：202202264346557417
整理番号：22A1112778
InP(001)基板上のInGaAsバルクおよびInGaAs/InAlAsワイド量子井戸における励起子局在の光ルミネセンス研究【JST・京大機械翻訳】
Photoluminescence study of exciton localization in InGaAs bulk and InGaAs/InAlAs wide quantum well on InP (001) substrate
Luo Shiping
(Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China)
,
Wang Ying
(Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China)
,
Liang Baolai
(Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China)
,
Liang Baolai
(California NanoSystem Institute, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
,
Wang Chunsheng
(Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China)
,
Wang Shufang
(Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China)
,
Fu Guangsheng
(Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China)
,
Mazur Yuriy I.
(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, AR, 72701, USA)
,
Ware Morgan E.
(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, AR, 72701, USA)
,
Salamo Gregory J.
(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, AR, 72701, USA)
資料名：
Journal of Luminescence
(Journal of Luminescence)
巻： 246 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： D0731A ISSN： 0022-2313 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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