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文献
J-GLOBAL ID：202202264679950399
整理番号：22A1101103
分割光遮蔽を用いた低温ポリシリコンTFTにおけるドレイン誘起障壁低下とキンク効果の抑制【JST・京大機械翻訳】
Suppressing Drain-Induced Barrier Lowering and Kink Effect in Low-Temperature Poly-Si TFTs Using a Partitioned Light Shield
Zhou Kuan-Ju
(Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Zheng Yu-Zhe
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Tai Mao-Chou
(Department of Photonics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Chen Po-Hsun
(Department of Physics, Military Academy, Kaohsiung, Taiwan)
,
Hung Yang-Hao
(Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Tu Yu-Fa
(Department of Electrical Engineering, National Tsing-Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chen Jian-Jie
(Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Hung Wei-Chun
(Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Wang Yu-Xuan
(Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chien Ya-Ting
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Sun Pei-Jun
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Huang Hui-Chun
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Chang Ting-Chang
(Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 43 号： 4 ページ： 576-579 発行年： 2022年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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