文献
J-GLOBAL ID:202202264729308229
整理番号:22A1052385
水素化物気相エピタクシーにより成長させたAl_0.4Ga_0.6N層の欠陥状態に及ぼす酸素の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of oxygen on defect states of Al0.4Ga0.6N layers grown by hydride vapor phase epitaxy
著者 (3件):
Ahn Chang Wan
(Department of Physics and Research Institute for Convergence of Basic Sciences, Hanyang University, Seoul, 04763, Republic of Korea)
,
Park Sungsoo
(Department of Science Education, Jeonju University, 303 Cheonjam-ro, Wansan-gu, Jeollabuk-do, Republic of Korea)
,
Kim Eun Kyu
(Department of Physics and Research Institute for Convergence of Basic Sciences, Hanyang University, Seoul, 04763, Republic of Korea)
資料名:
Journal of Materials Research and Technology
(Journal of Materials Research and Technology)
巻:
17
ページ:
1485-1490
発行年:
2022年
JST資料番号:
W3532A
ISSN:
2238-7854
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)