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文献
J-GLOBAL ID：202202264985123944
整理番号：22A0447542
窒素雰囲気下のアニーリングによるp型GaN中の細孔:形成と光検出器【JST・京大機械翻訳】
Pores in p-type GaN by annealing under nitrogen atmosphere: formation and photodetector
Chen Rongrong
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Liu Jie
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Feng Bo
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Zhu Hongyan
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Wang Di
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Luan Caina
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Ma Jin
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Zhang Lei
(State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Xiao Hongdi
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
資料名：
Journal of Materials Science
(Journal of Materials Science)
巻： 57 号： 1 ページ： 467-476 発行年： 2022年
JST資料番号： B0722A ISSN： 0022-2461 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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