文献
J-GLOBAL ID:202202265076314574
整理番号:22A0776146
強く相互作用する二次元半導体励起子のMott絶縁体【JST・京大機械翻訳】
Mott insulator of strongly interacting two-dimensional semiconductor excitons
著者 (5件):
Lagoin Camille
(Institut des Nanosciences de Paris, CNRS and Sorbonne Universite, Paris, France)
,
Suffit Stephan
(Laboratoire de Materiaux et Phenomenes Quantiques, Universite Paris Diderot, Paris, France)
,
Baldwin Kirk
(PRISM, Princeton Institute for the Science and Technology of Materials, Princeton University, Princeton, NJ, USA)
,
Pfeiffer Loren
(PRISM, Princeton Institute for the Science and Technology of Materials, Princeton University, Princeton, NJ, USA)
,
Dubin Francois
(Institut des Nanosciences de Paris, CNRS and Sorbonne Universite, Paris, France)
資料名:
Nature Physics
(Nature Physics)
巻:
18
号:
2
ページ:
149-153
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2060A
ISSN:
1745-2473
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)