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文献
J-GLOBAL ID：202202265217475338
整理番号：22A0906337
性能を改善したソースポケット技術ヘテロゲート誘電体SOIトンネルFET【JST・京大機械翻訳】
Source pocket-engineered hetero-gate dielectric SOI Tunnel FET with improved performance
Sharma Vanshaj
(Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Hamirpur, Hamirpur 177005, Himachal Pradesh, India)
,
Kumar Sanjay
(Department of Electronics and Communication Engineering, IIIT Bhagalpur, Bhagalpur 813210, Bihar, India)
,
Talukdar Jagritee
(Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Silchar, Silchar 788010, Assam, India)
,
Mummaneni Kavicharan
(Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Silchar, Silchar 788010, Assam, India)
,
Rawat Gopal
(Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Hamirpur, Hamirpur 177005, Himachal Pradesh, India)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 143 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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