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文献
J-GLOBAL ID：202202265409508126
整理番号：22A0396300
a-IGZO TFTにおけるBias応力不安定性に及ぼす酸素流速の影響の総サブギャップ範囲密度【JST・京大機械翻訳】
Total Subgap Range Density of States-Based Analysis of the Effect of Oxygen Flow Rate on the Bias Stress Instabilities in a-IGZO TFTs
Yang Ga Won
(Circadian ICT Research Center and the School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea)
,
Park Jingyu
(Circadian ICT Research Center and the School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea)
,
Choi Sungju
(Circadian ICT Research Center and the School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea)
,
Kim Changwook
(Circadian ICT Research Center and the School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea)
,
Kim Dong Myong
(Circadian ICT Research Center and the School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea)
,
Choi Sung-Jin
(Circadian ICT Research Center and the School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea)
,
Bae Jong-Ho
(Circadian ICT Research Center and the School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea)
,
Cho Il Hwan
(Department of Electronic Engineering, Myongji University, Yongin, South Korea)
,
Kim Dae Hwan
(Circadian ICT Research Center and the School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69 号： 1 ページ： 166-173 発行年： 2022年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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