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文献
J-GLOBAL ID：202202265620611542
整理番号：22A1090004
n型リンドープキャストモノライクシリコンの結晶成長と抵抗率変調【JST・京大機械翻訳】
Crystal growth and resistivity modulation of n-type phosphorus-doped cast mono-like silicon
Huang Jie
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China)
,
Yu Xuegong
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China)
,
Hu Dongli
(Jiangsu Key Lab of Silicon Based Electronic Materials, Jiangsu GCL Silicon Material Technology Development Co., Ltd., No. 88 Yangshan Road, Xuzhou Economic Development Zone, Xuzhou 221000, PR China)
,
Hu Dongli
(School of Biological and Chemical Engineering, NingboTech University, Ningbo 315100, PR China)
,
Yuan Shuai
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China)
,
Chen Hongrong
(Jiangsu Key Lab of Silicon Based Electronic Materials, Jiangsu GCL Silicon Material Technology Development Co., Ltd., No. 88 Yangshan Road, Xuzhou Economic Development Zone, Xuzhou 221000, PR China)
,
Wu Peng
(Jiangsu Key Lab of Silicon Based Electronic Materials, Jiangsu GCL Silicon Material Technology Development Co., Ltd., No. 88 Yangshan Road, Xuzhou Economic Development Zone, Xuzhou 221000, PR China)
,
Wang Lei
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China)
,
Yang Deren
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China)
資料名：
Solar Energy
(Solar Energy)
巻： 236 ページ： 294-300 発行年： 2022年
JST資料番号： E0099A ISSN： 0038-092X CODEN： SRENA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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