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文献
J-GLOBAL ID：202202265756070602
整理番号：22A0449864
低損失,無鉛(Ba_0.50Sr_0.50)TiO_3およびBa(Zr_0.15Ti_0.85)O_3二層薄膜スタックの改善された同調性とエネルギー貯蔵密度特性【JST・京大機械翻訳】
Improved Tunability and Energy Storage Density Properties of Low-Loss, Lead-Free (Ba0.50Sr0.50)TiO3 and Ba(Zr0.15Ti0.85)O3 Bilayer Thin Film Stacks
Mahesh M. L. V.
(Ceramics and Composites Group, Defence Metallurgical Research Laboratory, Kanchanbagh, Hyderabad, India)
,
Mahesh M. L. V.
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Hyderabad, Kandi, Telangana, India)
,
Pal Prem
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Hyderabad, Kandi, Telangana, India)
,
Prasad V. V. Bhanu
(Ceramics and Composites Group, Defence Metallurgical Research Laboratory, Kanchanbagh, Hyderabad, India)
,
James A. R.
(Ceramics and Composites Group, Defence Metallurgical Research Laboratory, Kanchanbagh, Hyderabad, India)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 51 号： 2 ページ： 727-735 発行年： 2022年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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