文献
J-GLOBAL ID:202202265862481315
整理番号:22A0901172
ナノエレクトロニクスと光起電力のための新しい有望な2D材料としての非対称XMoSiN_2(X=S,Se,Te)単分子層【JST・京大機械翻訳】
Asymmetric XMoSiN2 (X=S, Se, Te) monolayers as novel promising 2D materials for nanoelectronics and photovoltaics
著者 (5件):
Sibatov R.T.
(Department of Theoretical Physics, Moscow Institute of Physics and Technology (MIPT), Russia)
,
Sibatov R.T.
(Research Laboratory for Advanced Processes, Scientific-Manufacturing Complex “Technological Centre”, Moscow, Russia)
,
Sibatov R.T.
(Laboratory of Diffusion Processes, Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia)
,
Meftakhutdinov R.M.
(Laboratory of Diffusion Processes, Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia)
,
Kochaev A.I.
(Laboratory of Diffusion Processes, Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
585
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)