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文献
J-GLOBAL ID：202202266950774288
整理番号：22A0831895
傾斜バンドギャップAlGaAs/GaAs電子注入陰極の活性化実験とスペクトル応答特性解析【JST・京大機械翻訳】
Activation experiment and spectral response properties analysis of graded-bandgap AlGaAs/GaAs electron-injection cathode
Li Yuqing
(Engineering Research Center of Nuclear Technology Application (East China University of Technology), Ministry of Education, Nanchang 330013, China)
,
Zou Jijun
(Engineering Research Center of Nuclear Technology Application (East China University of Technology), Ministry of Education, Nanchang 330013, China)
,
Zhang Yijun
(School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)
,
Peng Xincun
(Engineering Research Center of Nuclear Technology Application (East China University of Technology), Ministry of Education, Nanchang 330013, China)
,
Deng Wenjuan
(Engineering Research Center of Nuclear Technology Application (East China University of Technology), Ministry of Education, Nanchang 330013, China)
資料名：
Optics Communications
(Optics Communications)
巻： 508 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： A0678B ISSN： 0030-4018 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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