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文献
J-GLOBAL ID：202202270791707192
整理番号：22A0150327
二重面イオン注入による半絶縁性4H-SiC基板に基づくp-i-n放射線検出器の開発【JST・京大機械翻訳】
Development of p-i-n radiation detectors based on semi-insulating 4H-SiC substrate via dual-face ion implantation
Yang Qunsi
(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Liu Qing
(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Xu Weizong
(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Zhou Dong
(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Ren Fangfang
(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Zhang Rong
(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Zheng Youdou
(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Lu Hai
(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 187 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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