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文献
J-GLOBAL ID：202202271686179416
整理番号：22A0979506
180nm CMOSにおける0.03ppm INLと106.3dB DRを用いた24b 2MS/s SAR ADC【JST・京大機械翻訳】
A 24b 2MS/s SAR ADC with 0.03ppm INL and 106.3dB DR in 180nm CMOS
Steensgaard Jesper
(Analog Devices,Sequim,WA)
,
Reay Richard
(Analog Devices,Santa Clara,CA)
,
Perry Raymond
(Analog Devices,Santa Clara,CA)
,
Thomas Dave
(Analog Devices,Santa Clara,CA)
,
Tu Geoffrey
(Analog Devices,Santa Clara,CA)
,
Reitsma George
(Analog Devices,Santa Clara,CA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022 号： ISSCC ページ： 168-170 発行年： 2022年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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