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文献
J-GLOBAL ID：202202271741611299
整理番号：22A2505313
小型EV向け高電力密度インバータ実現に向けて低寄生インダクタンス・高放熱性能を両立するためのアルミ基板を用いたGaN-HEMT実装方法の提案
Proposal of GaN-HEMT mounting method using aluminum substrate to achieve both low parasitic inductance and high heat dissipation performance to realize high power density inverter for compact EVs
竹原佑
(岡山大)
,
石原將貴
(岡山大)
,
梅谷和弘
(岡山大)
,
平木英治
(岡山大)
資料名：
電気学会研究会資料(Web)
(Papers of Technical Meeting, IEE Japan (Web))
号： SPC-22-143-171/MD-22-078-106 半導体電力変換研究会/モータドライブ研究会 ページ： 151-156 (WEB ONLY) 発行年： 2022年09月18日
JST資料番号： U2358A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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