文献
J-GLOBAL ID:202202272068948101
整理番号:22A0630298
垂直オフAlGaN/GaN-HFETのゲート構造を含むZnドープGaN【JST・京大機械翻訳】
Zn-Doped GaN Comprising the Gate Structure of Normally Off AlGaN/GaN-HFETs
著者 (3件):
Ito Norikazu
(Research and Development Center, Rohm Co., Ltd., Kyoto, Japan)
,
Tanaka Taketoshi
(Research and Development Center, Rohm Co., Ltd., Kyoto, Japan)
,
Nakahara Ken
(Research and Development Center, Rohm Co., Ltd., Kyoto, Japan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
43
号:
2
ページ:
192-195
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)