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文献
J-GLOBAL ID：202202272547788912
整理番号：22A0886482
熱蒸着により作製したCu/p-SnSe薄膜に基づく感光性Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Photosensitive Schottky barrier diodes based on Cu/p-SnSe thin films fabricated by thermal evaporation
Jagani Hirenkumar Shantilal
(Thin Film Device Fabrication & Characterisation Laboratory, Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar, Gujarat 388120, India. hirenjagani308@gmail.com)
,
Gupta Shubham Umeshkumar
,
Bhoraniya Karan
,
Navapariya Mayuri
,
Pathak Vivek M.
,
Solanki Gunvant K.
,
Patel Hetal
資料名：
Materials Advances
(Materials Advances)
巻： 3 号： 5 ページ： 2425-2433 発行年： 2022年
JST資料番号： W6469A ISSN： 2633-5409 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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