文献
J-GLOBAL ID:202202272547788912
整理番号:22A0886482
熱蒸着により作製したCu/p-SnSe薄膜に基づく感光性Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Photosensitive Schottky barrier diodes based on Cu/p-SnSe thin films fabricated by thermal evaporation
著者 (7件):
Jagani Hirenkumar Shantilal
(Thin Film Device Fabrication & Characterisation Laboratory, Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar, Gujarat 388120, India. hirenjagani308@gmail.com)
,
Gupta Shubham Umeshkumar
,
Bhoraniya Karan
,
Navapariya Mayuri
,
Pathak Vivek M.
,
Solanki Gunvant K.
,
Patel Hetal
資料名:
Materials Advances
(Materials Advances)
巻:
3
号:
5
ページ:
2425-2433
発行年:
2022年
JST資料番号:
W6469A
ISSN:
2633-5409
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)