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文献
J-GLOBAL ID：202202272558105325
整理番号：22A0776897
負性容量単一活性層ダブルゲート(NC-SALDG)薄膜トランジスタ(TFT)のサブ閾値特性の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of Subthreshold Characteristics of Negative Capacitance Single-Active Layer Double-Gate (NC-SALDG) Thin-Film Transistor (TFT)
Moparthi Sandeep
(Department of ECE, NIT Calicut, Kozhikode, Kerala, India)
,
Lavudi Ramesh
(Department of ECE, NIT Calicut, Kozhikode, Kerala, India)
,
Suddapalli Subba Rao
(Department of ECE, NIT Warangal, Warangal, Telangana, India)
,
Saramekala Gopi Krishna
(Department of ECE, NIT Calicut, Kozhikode, Kerala, India)
資料名：
Silicon
(Silicon)
巻： 14 号： 3 ページ： 1309-1314 発行年： 2022年
JST資料番号： W4947A ISSN： 1876-9918 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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