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文献
J-GLOBAL ID：202202273177116954
整理番号：22A0891760
Sankaranarayanan-Ramasamyの一方向成長法を用いて成長したTGS結晶の電気抵抗と光電流による相転移の研究【JST・京大機械翻訳】
A study of the phase transition by the electrical resistivity and photocurrent on TGS crystal grown using the unidirectional growth method of Sankaranarayanan-Ramasamy
Singaravadivelu S.
(Department of Physics, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India)
,
Uthayakumar A.
(Post Graduate and Research Department of Physics, Presidency College, Chennai (Autonomous), University of Madras, Chennai, Tamil Nadu, India)
,
Kamalesh T.
(Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India)
,
Karuppasamy P.
(Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India)
,
Chandra Balaji
(Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India)
,
Pandian M. Senthil
(Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India)
,
Ramasamy P.
(Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33 号： 8 ページ： 5763-5775 発行年： 2022年
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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