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文献
J-GLOBAL ID：202202273250453165
整理番号：22A1156861
金属酸化物半導体素子における高カッパ薄膜堆積技術の従来および新進展の概観【JST・京大機械翻訳】
An overview of conventional and new advancements in high kappa thin film deposition techniques in metal oxide semiconductor devices
Devaray Premdass
(Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Universiti Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
,
Hatta Sharifah Fatmadiana Wan Muhammad
(Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Universiti Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
,
Wong Yew Hoong
(Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Universiti Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33 号： 10 ページ： 7313-7348 発行年： 2022年
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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