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文献
J-GLOBAL ID：202202273575118690
整理番号：22A0843586
エミッタ面積と温度による陽子放射SiGe HBTの性能依存性の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation on the performance dependence of proton radiated SiGe HBTs with emitter area and temperature
Wei Yinlong
(School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China)
,
Lan Kuibo
(School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China)
,
Wang Zhi
(School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China)
,
Wei Junqing
(School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China)
,
Ma Zhenqiang
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA)
,
Qin Guoxuan
(School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China)
資料名：
Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics
(Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics)
巻： 36 号： 3 ページ： 2150559 発行年： 2022年
JST資料番号： T0431A ISSN： 0217-9849 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： シンガポール (SGP) 言語： 英語 (EN)
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