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J-GLOBAL ID：202202274527882935 整理番号：22A1101600

拡大トンネル磁気抵抗比とユニバーサルSTT-MRAMセルを用いたアナログインメモリ計算の提案【JST・京大機械翻訳】

Proposal of Analog In-Memory Computing With Magnified Tunnel Magnetoresistance Ratio and Universal STT-MRAM Cell

著者 (7件)：

Cai Hao

(National ASIC System Engineering Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China)

,

Guo Yanan

(National ASIC System Engineering Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China)

,

Liu Bo

(National ASIC System Engineering Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China)

,

Zhou Mingyang

(National ASIC System Engineering Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China)

,

Chen Juntong

(National ASIC System Engineering Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China)

,

Liu Xinning

(National ASIC System Engineering Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China)

,

Yang Jun

(National ASIC System Engineering Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China)

資料名：

IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers (IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)

巻： 69 号： 4 ページ： 1519-1531 発行年： 2022年
JST資料番号： C0226B ISSN： 1549-8328 CODEN： ITCSCH 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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