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文献
J-GLOBAL ID：202202275425015046
整理番号：22A1100878
Al_2O_3キャッピング層を用いた電極の影響から遊離したHf_0.5Zr_0.5O_2薄膜の強誘電性【JST・京大機械翻訳】
Ferroelectricity of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films Free From the Influence of Electrodes by Using Al2O3 Capping Layers
Wan Jiaxian
(Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China)
,
Chen Xue
(Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China)
,
Ji Liwei
(Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China)
,
Tu Zexin
(Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China)
,
Wu Hao
(Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, the School of Physics and Technology, and the Hubei Key Laboratory of Nuclear Solid Physics, Wuhan University, Wuhan, China)
,
Liu Chang
(Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69 号： 4 ページ： 1805-1810 発行年： 2022年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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