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文献
J-GLOBAL ID：202202275524572097
整理番号：22A0858278
単層GaInS_2の歪と電場変調間接-直接バンド遷移【JST・京大機械翻訳】
Strain and electric field-modulated indirect-to-direct band transition of monolayer GaInS2
Betal Atanu
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India)
,
Bera Jayanta
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India)
,
Alam Mahfooz
(Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India)
,
Gandi Appala Naidu
(Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India)
,
Sahu Satyajit
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India)
資料名：
Journal of Computational Electronics
(Journal of Computational Electronics)
巻： 21 号： 1 ページ： 227-234 発行年： 2022年
JST資料番号： A1072A ISSN： 1569-8025 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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