文献
J-GLOBAL ID:202202275680032009
整理番号:22A0848230
イオンカット層移動を用いた光センサとCMOS回路によるモノリシック3D集積【JST・京大機械翻訳】
Monolithic 3D Integration With Photosensor and CMOS Circuits Using Ion-Cut Layer Transfer
著者 (4件):
Han Hoonhee
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea)
,
Cho Hyeon Cheol
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea)
,
Jang Seok Min
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea)
,
Choi Changhwan
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
43
号:
3
ページ:
430-433
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)