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J-GLOBAL ID:202202275986207975   整理番号:22A0956595

多層h-BN-オン-サファイアのサブバンドギャップ光ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Sub-bandgap photoluminescence properties of multilayer h-BN-on-sapphire
著者 (10件):
Saha Shantanu
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, United States of America)
Chang Yu-Chen
(Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan)
Yang Tilo Hongwei
(Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan)
Rice Anthony
(Sandia National Laboratories, PO Box 5800, Albuquerque, NM 87185, United States of America)
Ghosh Arnob
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, United States of America)
You Weicheng
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, United States of America)
Crawford Mary
(Sandia National Laboratories, PO Box 5800, Albuquerque, NM 87185, United States of America)
Lu Ting-Hua
(Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan)
Lan Yann-Wen
(Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan)
Arafin Shamsul
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, United States of America)

資料名:
Nanotechnology  (Nanotechnology)

巻: 33  号: 21  ページ: 215702 (7pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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