文献
J-GLOBAL ID:202202276870774115
整理番号:22A1173029
ゲート仕事関数工学短チャネルEモードN極性GaN MOS-HEMTのためのチャネル電位,電場,閾値電圧およびドレイン電流の解析的モデル開発【JST・京大機械翻訳】
Analytical model development of channel potential, electric field, threshold voltage and drain current for gate workfunction engineered short channel E-mode N-polar GaN MOS-HEMT
著者 (3件):
Panda D. K.
(School of Electronics, VIT-AP University, Amravati, India)
,
Panda D. K.
(Microelectronics and VLSI Design Group, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, Assam, India)
,
Lenka T. R.
(Microelectronics and VLSI Design Group, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, Assam, India)
資料名:
Microsystem Technologies
(Microsystem Technologies)
巻:
28
号:
3
ページ:
675-682
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2056A
ISSN:
0946-7076
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)