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文献
J-GLOBAL ID：202202277032762409
整理番号：22A0726826
低温Ni誘起横方向結晶化により形成した絶縁体上の三次元配向制御Geロッド【JST・京大機械翻訳】
Three-Dimensionally Orientation-Controlled Ge Rods on an Insulator Formed by Low-Temperature Ni-Induced Lateral Crystallization
Ishiyama Takamitsu
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Imajo Toshifumi
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Saitoh Noriyuki
(Electron Microscope Facility, TIA, AIST, Ibaraki, Japan)
,
Yoshizawa Noriko
(Global Zero Emission Research Center, AIST, Ibaraki, Japan)
,
Suemasu Takashi
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Toko Kaoru
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名：
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻： 22 号： 2 ページ： 1123-1129 発行年： 2022年
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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