文献
J-GLOBAL ID:202202277032762409
整理番号:22A0726826
低温Ni誘起横方向結晶化により形成した絶縁体上の三次元配向制御Geロッド【JST・京大機械翻訳】
Three-Dimensionally Orientation-Controlled Ge Rods on an Insulator Formed by Low-Temperature Ni-Induced Lateral Crystallization
著者 (6件):
Ishiyama Takamitsu
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Imajo Toshifumi
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Saitoh Noriyuki
(Electron Microscope Facility, TIA, AIST, Ibaraki, Japan)
,
Yoshizawa Noriko
(Global Zero Emission Research Center, AIST, Ibaraki, Japan)
,
Suemasu Takashi
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Toko Kaoru
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名:
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻:
22
号:
2
ページ:
1123-1129
発行年:
2022年
JST資料番号:
W1323A
ISSN:
1528-7483
CODEN:
CGDEFU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)