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文献
J-GLOBAL ID：202202277072064526
整理番号：22A0976798
化学蒸着により成長させたトポロジカル絶縁体Bi_2(Te_0.23Se_0.77)_3ナノワイヤにおける表面状態の円形光ガルバノ効果【JST・京大機械翻訳】
Circular photogalvanic effect of surface states in the topological insulator Bi2(Te0.23Se0.77)3 nanowires grown by chemical vapor deposition
Li Minggui
(Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China)
,
Yu Jinling
(Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China)
,
Cui Guangzhou
(Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China)
,
Chen Yonghai
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China and College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Lai Yunfeng
(Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China)
,
Cheng Shuying
(Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China)
,
He Ke
(Department of Physics, State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 131 号： 11 ページ： 113902-113902-8 発行年： 2022年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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