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文献
J-GLOBAL ID：202202277124538184
整理番号：22A1100936
モノリシック積層による4F_ 2を超える高密度を有する2T_0C-DRAM用の新規な垂直チャネルオールアラウンド(CAA)In-Ga-Zn-OFET【JST・京大機械翻訳】
Novel Vertical Channel-All-Around (CAA) In-Ga-Zn-O FET for 2T0C-DRAM With High Density Beyond 4F2 by Monolithic Stacking
Duan Xinlv
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Huang Kailiang
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Feng Junxiao
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Niu Jiebin
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Qin Haibo
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Yin Shihui
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Jiao Guangfan
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Leonelli Daniele
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Zhao Xiaoxuan
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Wang Zhaogui
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Jing Weiliang
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Wang Zhengbo
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Wu Ying
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Xu Jeffrey
(Huawei Technologies Company, Ltd., Shenzhen, China)
,
Chen Qian
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Chuai Xichen
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Lu Congyan
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Wenwu
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Yang Guanhua
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Geng Di
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Li Ling
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liu Ming
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69 号： 4 ページ： 2196-2202 発行年： 2022年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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