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文献
J-GLOBAL ID：202202277282191992
整理番号：22A0430784
非晶質SiZnSnO薄膜トランジスタの電気的性能に及ぼすサブバンドギャップ状態密度の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of sub-band gap density of states on the electrical performance of amorphous SiZnSnO thin film transistor
Saha D.
(Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea)
,
Saha D.
(Gachon Advanced Institute of Semiconductor Technology, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea)
,
Lee Sang Yeol
(Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea)
,
Lee Sang Yeol
(Gachon Advanced Institute of Semiconductor Technology, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 188 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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