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文献
J-GLOBAL ID：202202277473281096
整理番号：22A0974772
二層構造を有する不揮発性高速スイッチングZn-O-N薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Nonvolatile High-Speed Switching Zn-O-N Thin-Film Transistors with a Bilayer Structure
Kim Hyoung-Do
(Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea)
,
Naqi Muhammad
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Republic of Korea)
,
Jang Seong Cheol
(Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea)
,
Park Ji-Min
(Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea)
,
Park Yun Chang
(National Nano Fab Center, Republic of Korea)
,
Park Kyung
(Semiconductor Process Laboratory, WONIK IPS, Republic of Korea)
,
Nahm Ho-Hyun
(Department of Physics, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Republic of Korea)
,
Kim Sunkook
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Republic of Korea)
,
Kim Hyun-Suk
(Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14 号： 11 ページ： 13490-13498 発行年： 2022年
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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