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文献
J-GLOBAL ID：202202277530334170
整理番号：22A1047602
トリフルオロヨードメタンを用いたSiO_2の原子層エッチング【JST・京大機械翻訳】
Atomic layer etching of SiO2 using trifluoroiodomethane
Kim Seon Yong
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea)
,
Park In-Sung
(Institute of Nano Science and Technology, Hanyang University, Seoul 04763, Korea)
,
Ahn Jinho
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea)
,
Ahn Jinho
(Division of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 589 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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